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입찰마감물품일반경쟁

친환경·고효율 에너지 산업용 1200V급 SiC MOSFET 상용화 소자개발 3차

공고 요약

발주처
주식회사 디비하이텍
유형
물품
지역
전국
예산
81,225,000원
낙찰 방법
적격심사제-관리규정외 수기심사(총점입력)
입찰 마감
2026.09.28 10:00
계약·평가
적격심사 (가격+점수)

참가자격 / 제한

참가 수수료
없음

입찰 일정

  1. 입찰 개시지남
  2. 자격등록 마감지남
  3. 입찰 마감지남
  4. 개찰지남
공고 일시
2026.09.21 09:31
개찰 장소
국가종합전자조달시스템(나라장터)

예산 / 가격

추정 가격
73,840,909원
낙찰 하한율
85%
배정 예산
81,225,000원
부가가치세
7,384,091원
기초금액
81,225,000원
예가 범위
−2% ~ +2%
예가 결정방식
복수예가
복수예가 추첨
15개 중 4개 추첨모의 산출 해 보기 ›
재입찰시 예가
재입찰시 예비가격을 다시 생성하여 예정가격이 산정됩니다.

계약 / 낙찰 방식

계약 체결방식
일반경쟁
입찰 방식
전자입찰
낙찰 방식
적격심사제-관리규정외 수기심사(총점입력)
낙찰자 결정기준
관리규정외(기타)
공동수급
(전자)공동이행
재입찰 허용
예
국제입찰 여부
아니오
공고 종류
재공고
적격심사

물품 정보

세부 분류
연마기
규격
SiC Wafer 전자현미경 분석용 시편의 단면 연마 (분석 필요연마용 사포의 입도, 압력, 속도 등을 단계적으로 제어하여 정밀 단면 가공성) 가능 재현성 확보 : 동일 조건에서 반복 시 동일 품질 확보
수량
1 ea
단가
81,225,000원
납품 조건
납품장소 입고도
제조 여부
아니오

첨부 파일

입찰공고서_SiC 시편 단면 연마기 (8인치 SiC wafer).hwp다운로드
단면 연마기 규격서.xlsx다운로드
입찰공고서_SiC 시편 단면 연마기 (8인치 SiC wafer).pdf다운로드

발주기관 / 담당자

발주 기관
주식회사 디비하이텍
공고 기관
주식회사 디비하이텍
수요기관장
주식회사 디비하이텍 대표이사
발주 공고번호
R26BK01707177
입찰 공고번호
R26BK01738038-000
통합 공고번호
R26BM00968827

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공고 한눈에 보기

주식회사 디비하이텍이 발주한 물품 공고입니다. 추정가격은 73,840,909원, 낙찰하한율은 85%입니다. 입찰은 2026년 9월 28일(월) 오전 10시에 마감됩니다.

계약·심사 항목은 적격심사 (가격+점수)입니다.

참고 — 실제 입찰 참여와 서류 제출은 나라장터(g2b.go.kr)에서 진행해야 합니다. 원문 보기에서 바로 이동하세요.