경운대학교 반도체 공정 및 소자 설계 시뮬레이터 15 SET 외 1종 구매

적격심사제-추정가격이 고시금액 미만인 물품 제조 또는 구매입찰

B. 규격 (Specifications) 가. 반도체 공정/소자 시뮬레이터 컨트롤러 1. GPU - 인터페이스 : PCIe4.0x16(at x8) - 스트림 프로세서 : 2,304개 - 메모리 버스 : 96bit이상 - DLSS 기술지원 - Fick의 법칙 기반의 연속 방정식을 풀며, 페어(Pair) 확산 모델과 Fermi 통계 보정을 포함한다. 지원 도펀트는 B, P, As, Sb, In으로 p형 및 n형 모두 해석. 공정 온도는 600°C에서 1200°C이며, N₂, O₂, H₂, Ar 및 혼합 가스 분위기에서의 확산을 지원한다. 시뮬레이션 결과로 1D/2D 농도 프로파일, 접합 깊이(Xj), 시트 저항(Rs)을 추출 가능. - Monte Carlo 이온주입 계산의 병렬 가속이 가능 2. CPU - 6코어 이상 - 최대 부스터 클럭 : 4.4GHz - 방열솔류션 : Wraith Stealth - 포아송 방정식과 전자/정공 연속 방정식(드리프트-확산 모델)을 결합하여 풀며, 2D 및 3D 구조 를 모두 지원한다. 캐리어 통계는 저농도 영역에서 Boltzmann 통계를, 고농도 영역에서 Fermi-Dirac 통계를 사용한다. 이동도 모델은 Lombardi 이동도, Arora 모델, Caughey-Thomas 속 도 포화 모델을 포함한다. 재결합 메커니즘으로는 SRH, Auger, 직접 밴드-밴드 재결합, 계면 재결합을 모두 지원하며, 온도 의존 밴드갭 좁아짐(BGN) 모델도 포함된 3. HMI - 주사율 : 60Hz 이상 - 응답속도 : 4ms(GTG) - DCI-P3 : 102% - Deal-Grove 선형-포물선 모델을 기본, 응력 의존 점성 유동 모델을 추가로 지원한다. Dry O₂, Wet O₂(H₂O), Pyrogenic 방식의 산화를 모두 모사할 수 있어야 한다 - 공정 온도는 700°C에서 1200°C, 압력은 0.1 atm에서 25 atm 범위를 지원한다. 산화 진행 중 불순물의 편석 및 재분포를 자동으로 계산하며, 산화막 두께, Si 소모량, 계면 위치, 응력 분포 를 결과로 출력 가눙 하여야 한다. C. 부속품(Accessories) 1. 전원공급장치 / 전원공급 케이블 1. 출력 컨트롤러 케이블 1. 각 입력장치 포함